La fotónica basada en silicio se considera actualmente la plataforma fotónica de próxima generación para comunicaciones integradas.Sin embargo, el desarrollo de moduladores ópticos compactos y de baja potencia sigue siendo un desafío.Aquí informamos de un efecto electroóptico gigante en pozos cuánticos acoplados Ge/SiGe.Este efecto prometedor se basa en el anómalo efecto cuántico Stark debido al confinamiento separado de electrones y huecos en pozos cuánticos acoplados de Ge/SiGe.Este fenómeno se puede utilizar para mejorar significativamente el rendimiento de los moduladores de luz en comparación con los enfoques estándar desarrollados hasta ahora en fotónica de silicio.Hemos medido cambios en el índice de refracción de hasta 2,3 × 10-3 con un voltaje de polarización de 1,5 V con una eficiencia de modulación correspondiente VπLπ de 0,046 Vcm.Esta demostración allana el camino para el desarrollo de moduladores de fase eficientes de alta velocidad basados en sistemas de materiales Ge/SiGe.
Hora de publicación: 06-jun-2023